階梯狀量子阱結(jié)構(gòu)對藍光GaN基LED性能的改善
關(guān)鍵詞：gan 光學特性 silvaco仿真
摘要：由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)存在極化效應(yīng)導(dǎo)致能帶傾斜,極大地影響了LED的輻射復(fù)合效率。采用階梯狀量子阱的結(jié)構(gòu)來改善LED的發(fā)光特性,通過金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)系統(tǒng)在4英寸(1英寸=2.54 cm)藍寶石襯底上外延生長了3種不同量子阱結(jié)構(gòu)的樣品,并對其進行材料結(jié)構(gòu)與器件性能的表征。實驗結(jié)果表明, In組分減小的階梯狀量子阱樣品相對于傳統(tǒng)量子阱結(jié)構(gòu),其在電致發(fā)光(EL)譜中藍移現(xiàn)象幾乎消失;同時在注入電流為140 mA時,其發(fā)光功率以及外量子效率分別提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas軟件的仿真結(jié)果顯示了該樣品的量子阱中具有更高的空穴濃度與輻射復(fù)合效率。
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