關(guān)鍵詞:mosfet
摘要:VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面貼裝PowerPAK~?SO-8L封裝的N溝道器件,擴(kuò)充其600V和650VE系列功率MOSFET。VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有低封裝電感。
半導(dǎo)體信息雜志要求:
{1}來稿之基金項(xiàng)目名稱、編號務(wù)必標(biāo)示。
{2}編輯部對來稿有刪修權(quán),不同意刪修的請?jiān)趤砀逯新暶鳌?
{3}參考文獻(xiàn)在引文末尾用方括號加序號注明,按順序全文排序,序號同文末的列表序號一致。
{4}關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞(3—5個(gè))。
{5}所有作者的作者簡介(姓名、工作單位、職稱、研究方向);通訊作者請?jiān)偬峁╇娮余]箱。
注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社