關(guān)鍵詞:氧化鋅納米棒陣列 圖案化制備 太陽(yáng)能電池 電化學(xué)電池
摘要:ZnO作為一種典型的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料極具開(kāi)發(fā)潛力和應(yīng)用價(jià)值.隨著圖案化技術(shù)的不斷發(fā)展優(yōu)化,ZnO納米棒陣列的精確可控制備逐步得到實(shí)現(xiàn).本文綜述了利用激光限域技術(shù)制備圖案化ZnO納米棒陣列的方法,并詳述了其在太陽(yáng)能電池和光電化學(xué)電池中的應(yīng)用.激光干涉法制備的ZnO納米陣列比表面積大且具有直線傳輸?shù)膬?yōu)勢(shì),運(yùn)用于光伏器件和電化學(xué)電池中增加了光吸收同時(shí)利于載流子傳輸,器件性能顯著提高.圖案化ZnO納米棒陣列具有可控的三維空間結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用關(guān)于各類能源器件中,具有極大的研究和應(yīng)用價(jià)值.
北京科技大學(xué)學(xué)報(bào)·社會(huì)科學(xué)版雜志要求:
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