反應物濃度誘導CVD SiC結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變
黃東; 王昊; 何雨恬; 王秀連; 劉樺; 鄧暢光; 林松盛; 張明瑜 湖南東映碳材料科技有限公司; 高性能瀝青基碳纖維湖南省工程研究中心; 湖南長沙410083; 廣東省新材料研究所; 現(xiàn)代材料表面工程技術(shù)國家工程實驗室; 廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室; 廣東廣州510650; 中南大學粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙4100831
關(guān)鍵詞：cvd sic 微觀結(jié)構(gòu)
摘要：利用低密度的C/C復合材料為沉積基體,通過化學氣相沉積法制備氣相生長SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應物濃度下氣相生長SiC的微觀形貌和物相組成.結(jié)果表明,隨著反應物氣體濃度的降低,多孔C/C復合材料基體上氣相生長的SiC的微觀結(jié)構(gòu)呈區(qū)域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉(zhuǎn)變.探討了不同反應物濃度氣氛中過飽和度誘導原子遷移和氣相分子吸附的過程,并提出一個SiC的生長模型.
材料研究與應用雜志要求:
{1}參考文獻應為公開出版物。引用文獻須按引用的先后，在正文中有關(guān)處用［1］，［2］…標明，序號與全文末的參考文獻必須一致。
{2}中英文對照的標題、作者、作者單位、摘要、關(guān)鍵詞。
{3}來稿請勿一稿多投，文責作者自負。本刊編輯部對來稿可作必要修改。
{4}基金項目：如果論文是項目成果，請按“項目名稱（項目號）”的形式寫出。項目名稱與項目號兩者都要有。
{5}文章標題：一般不超過20個漢字，必要時加副標題。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
