關(guān)鍵詞:溫度系數(shù) 熱阻 輻射光譜
摘要:為研究溫度對AlGaN基274nm深紫外LED光電參數(shù)的影響.基于自動溫控深紫外光譜分析測量系統(tǒng)的測試結(jié)果表明,在25~100℃范圍內(nèi)該深紫外LED的工作電壓和基板溫度呈負(fù)線性關(guān)系,溫度系數(shù)約為-8.79mV/℃,較大的溫度系數(shù)可能來源于深紫外LED中p-AlGaN較低的摻雜濃度.通過瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)工作電壓測試及結(jié)合溫度系數(shù),計算得到深紫外LED樣品的熱阻為20.8℃/W,該熱阻對應(yīng)芯片PN結(jié)到管殼引腳之間的導(dǎo)熱通道.隨溫度升高,該深紫外LED峰值波長的穩(wěn)定性和單色性較好.該深紫外LED輻射光譜由UVA、UVB和UVC三種成分組成;隨著溫度升高,UVA和UVC成分減少,UVB成分增加,UVB成分可能來源于器件中低Al組分外延層材料吸收量子阱發(fā)光后的二次輻射.研究表明,溫度對深紫外LED的工作電壓、熱阻以及輻射光譜等性能有著重要影響,相關(guān)光電參數(shù)的準(zhǔn)確測量需要精確控溫.
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