鹽脅迫下外源Si和Spd對番茄幼苗生長及光合熒光特性的影響
關(guān)鍵詞：番茄 硅 亞精胺 鹽脅迫 光合熒光特性
摘要：試驗以"中雜9號"番茄(Solanum lycopersicum L.)為試驗材料,采用水培法,研究外源硅(Na2SiO3,1.5 mmol·L-1)和亞精胺(Spd,0.25 mmol·L-1)對鹽脅迫下(150 mmol·L-1NaCl)番茄幼苗生長及光合熒光特性的影響。結(jié)果表明,鹽脅迫下番茄幼苗生物量積累、根系活力、葉綠素含量及凈光合速率均顯著下降,其對光合作用的抑制以非氣孔因素為主。外源Si和Spd均可緩解鹽脅迫對番茄植株的傷害,具體表現(xiàn)為根冠比、葉片相對含水量、根系活力、光合作用增強。外源Si和Spd均可促進鹽脅迫下番茄葉綠素積累,Si主要通過維持光合系統(tǒng)完整性提高葉片對光能利用效率;Spd則通過增加葉片氣孔開放比例促進CO2同化過程,增強其光合作用;Si和Spd復(fù)合處理下番茄生物積累量、葉片相對含水量及滲透勢均達最大,但Fv/Fm、ФPSⅡ、ETR、qP卻均呈不同程度降低,其對葉片光合特性的正調(diào)控效應(yīng)較單施Si或Spd處理弱。綜上所述,根施外源1.5 mmol·L-1Na2SiO3和噴施0.25 mmol·L-1Spd均可緩解NaCl脅迫傷害,Si和Spd主要通過促進鹽脅迫下葉綠素合成,增強植株光合能力緩解脅迫傷害;Si及Spd復(fù)合處理則通過調(diào)節(jié)滲透系統(tǒng)提高番茄抗鹽能力。
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