溫度循環(huán)應(yīng)力下模擬IC封裝失效的加速退化研究
關(guān)鍵詞：模擬集成電路 溫度循環(huán)應(yīng)力 封裝失效 加速退化試驗(yàn)
摘要：針對(duì)模擬集成電路在溫度循環(huán)應(yīng)力下的封裝退化過(guò)程進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了對(duì)應(yīng)的加速退化試驗(yàn),并根據(jù)其加速應(yīng)力模型擬合分析了試驗(yàn)數(shù)據(jù),得到了加速退化方程,推算出了日常應(yīng)用條件下器件的貯存壽命。
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