功率晶體管直流增益溫度變化率的研究及埋層結構優(yōu)化
張華杰 新鄉(xiāng)學院物理與電子工程學院; 河南新鄉(xiāng)453000
關鍵詞：功率晶體管 直流增益 高低溫變化率 埋層結構 優(yōu)化
摘要：利用TCAD半導體器件仿真軟件,依據(jù)NPN型大功率晶體管電參數(shù)指標要求,針對直流增益及其高、低溫變化率進行了研究.為拓寬滿足直流增益要求的結構參數(shù)范圍并改善直流增益高、低溫變化率,提出一種新型帶P^+埋層的高反壓大功率晶體管結構.仿真結果表明:通過對P^+埋層摻雜濃度和厚度進行優(yōu)化,可有效折中直流增益和集電極-發(fā)射極擊穿電壓的矛盾關系,使得發(fā)射區(qū)、基區(qū)結構參數(shù)在較大范圍內(nèi)滿足直流增益指標要求,增大了工藝裕量.P^+埋層的存在,可針對滿足直流增益及其高、低溫變化率的要求來調整發(fā)射區(qū)、基區(qū)結構參數(shù).
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