基于石英納米孔道的單顆粒尺寸分布分析
關(guān)鍵詞：石英納米孔道 電化學限域 單顆粒尺寸分布分析
摘要：發(fā)展了一種基于石英納米孔道的單顆粒電化學動態(tài)分析方法,用于單個CdSe/ZnS量子點納米顆粒的尺寸分布分析.其機制是向石英納米孔道兩端施加電壓,表面帶有正電荷的單個CdSe/ZnS量子點納米顆粒在電場力驅(qū)動下由管內(nèi)向管外運動,當量子點納米顆粒穿過納米孔道尖端狹小的限域空間時,其表面正電荷使石英納米孔道內(nèi)電荷密度增加,孔道內(nèi)的電化學限域效應(yīng)進一步將電荷密度增加的信息放大并轉(zhuǎn)變?yōu)榭勺x的離子流增強信號.通過對動態(tài)離子流信號解析可實時獲取具有2種不同尺寸的量子點納米顆粒所導致的2類過孔事件信息,從而對在限域空間內(nèi)運動的納米顆粒進行尺寸分布分析.
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