H擴(kuò)散摻雜源漏的自對(duì)準(zhǔn)頂柵a-IGZO TFT制備工藝研究
關(guān)鍵詞：非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管 自對(duì)準(zhǔn)頂柵 柵介質(zhì)刻蝕 氫摻雜
摘要：采用氫(H)擴(kuò)散摻雜源漏的方法對(duì)自對(duì)準(zhǔn)頂柵a-IGZO TFT的制備工藝進(jìn)行了研究。氫的擴(kuò)散摻雜通過(guò)PECVD生長(zhǎng)SiNx鈍化層而實(shí)現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,在柵電極圖形化后,是否繼續(xù)進(jìn)行柵介質(zhì)刻蝕對(duì)器件性能有較大影響。對(duì)刻蝕了SiO2柵介質(zhì)層的器件,發(fā)現(xiàn)其泄漏電流較大,這可能是由于有源層側(cè)壁的刻蝕殘留物導(dǎo)致的;短溝道器件閾值電壓偏負(fù)且在經(jīng)過(guò)退火后遷移率減小,則是由于嚴(yán)重的H橫向擴(kuò)散導(dǎo)致的。對(duì)未刻蝕SiO2柵介質(zhì)層的器件,發(fā)現(xiàn)其閾值電壓相對(duì)偏正,應(yīng)該是因?yàn)镾iO2柵介質(zhì)對(duì)H的摻雜有一定的阻擋作用,導(dǎo)致H的橫向擴(kuò)散得到了抑制;器件在經(jīng)過(guò)退火后遷移率上升,開(kāi)態(tài)電流增大,應(yīng)該是因?yàn)槲纯涛g柵介質(zhì)中的H熱擴(kuò)散到下方的源漏區(qū)域,降低了源漏電阻。
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