四針狀氧化鋅/還原氧化石墨烯復合陰極的場發(fā)射性能研究
關(guān)鍵詞：還原氧化石墨烯 四針狀氧化鋅 復合陰極 場致電子發(fā)射
摘要：通過絲網(wǎng)印刷將四針狀納米氧化鋅(tetrapod-liked zinc oxide nanoneedles,T-ZnO)轉(zhuǎn)移到電極表面,采用旋涂的方法在T-ZnO陣列上方形成連續(xù)的、懸浮結(jié)構(gòu)的還原石墨烯(reduced graphene oxide,rGO)層薄膜,制備出以T-ZnO為支撐層的T-ZnO/rGO復合薄膜冷陰極。實驗表明:相對于T-ZnO陰極,T-ZnO/rGO薄膜陰極發(fā)射電流密度提高、開啟場強與閾值場強降低,其開啟場強為2.5 V/μm(電流密度10μA/cm^2),閾值電場為3.8 V/μm(電流密度為1 mA/cm^2),具有良好的場發(fā)射性能。
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