1~8GHz GaN 10W巴倫型分布式功率放大器
韓程浩; 陶洪琪 南京電子器件研究所; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室; 南京210016
關鍵詞：超寬帶 巴倫 高效率 分布式功率放大器
摘要：報道了一款采用0.25μm GaN HEMT工藝研制的1~8GHz超寬帶分布式功率放大器芯片。通過在芯片的輸出端設計超寬帶巴倫結構,來實現(xiàn)負載阻抗變換,以提高分布式電路的輸出功率和效率特性。為了提高電路的增益,設計了一種兩級非均勻式的電路拓撲結構。該芯片在1~8GHz頻率范圍內(nèi),漏壓28 V連續(xù)波條件下,線性增益大于25.8dB,功率增益大于23.2dB,典型飽和輸出功率為10W,功率附加效率大于28.8%。芯片面積為3.5mm×3.3mm。
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