1.2kV氧化槽交替隔離型RC-IGBT的結(jié)構(gòu)設計及特性研究
關(guān)鍵詞：電壓折回 氧化槽 恢復損耗
摘要：提出了一種1.2kV氧化槽交替隔離型RC-IGBT結(jié)構(gòu)。通過采用和正面柵極工藝相同的溝槽刻蝕技術(shù),在器件背面形成交替出現(xiàn)的氧化槽,氧化槽結(jié)構(gòu)增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之間的短路電阻,從而從根本上消除了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的電壓折回(Snapback)現(xiàn)象。為了不增加工藝難度,氧化槽的寬度和柵極的寬度完全一致。研究了氧化槽的深寬比對Snapback現(xiàn)象的影響規(guī)律,以及氧化槽之間N^+ Collector與P^+ Collector摻雜長度對器件特性的影響。結(jié)果表明,新結(jié)構(gòu)的設計能完全消除Snapback現(xiàn)象,且相較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),元胞尺寸減小了一半,并且器件恢復損耗降低了30%。
固體電子學研究與進展雜志要求:
{1}用第一、第二……或首先、其次……時，如每段文字不長可在同一自然段內(nèi)接排，如每段文字均較長，可另起一自然段。
{2}來稿須符合學術(shù)期刊的一般編排規(guī)范要求。
{3}來稿不退，請作者自留備稿。來稿一經(jīng)發(fā)表，文章的復制權(quán)、發(fā)行權(quán)、匯編權(quán)及信息網(wǎng)絡傳播權(quán)將獨家授予《傳播與版權(quán)》期刊編輯部。
{4}基金項目(有則加項)：獲得基金資助產(chǎn)出的文章應注明基金項目名稱，并在括號內(nèi)注明其項目編號。
{5}摘要最好用敘述性語言闡明全文的觀點、論據(jù)和結(jié)論，既要精煉又要言之有物，盡量不要空泛地概括全篇內(nèi)容；忌用第一人稱；字數(shù)為150－200字。關(guān)鍵詞3－8個。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
