220 GHz低噪聲放大器研究
關鍵詞：低噪聲放大器 220 ghz 共基級 共射共基
摘要：基于IHP鍺硅BiCMOS工藝,研究和實現(xiàn)了兩種220 GHz低噪聲放大器電路,并將其應用于220 GHz太赫茲無線高速通信收發(fā)機電路。一種是220 GHz四級單端共基極低噪聲放大電路,每級電路采用了共基極(Common Base,CB)電路結構,利用傳輸線和金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)電容等無源電路元器件構成輸入、輸出和級間匹配網絡。該低噪放電源的電壓為1.8 V,功耗為25 mW,在220 GHz頻點處實現(xiàn)了16 dB的增益,3 dB帶寬達到了27 GHz。另一種是220 GHz四級共射共基差分低噪聲放大電路,每級都采用共射共基的電路結構,放大器利用微帶傳輸線和MIM電容構成每級的負載、Marchand-Balun、輸入、輸出和級間匹配網絡等。該低噪放電源的電壓為3 V,功耗為234 mW,在224 GHz頻點實現(xiàn)了22 dB的增益,3 dB帶寬超過6 GHz。這兩個低噪聲放大器可應用于220 GHz太赫茲無線高速通信收發(fā)機電路。
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