真空溫變環(huán)境下大功率測(cè)試系統(tǒng)的功率標(biāo)校研究
關(guān)鍵詞：大功率 真空溫變 功率標(biāo)校
摘要：真空環(huán)境下的大功率試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)空間大功率微波器件的安全穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。文章針對(duì)大功率試驗(yàn)中的功率標(biāo)校問題,從真空罐外的常壓鏈路和真空罐內(nèi)的真空鏈路兩部分,分別分析了大功率熱效應(yīng)和溫度變化對(duì)功率檢測(cè)標(biāo)校值的影響,并以2GHz同軸系統(tǒng)為例進(jìn)行了試驗(yàn)研究。研究表明:常壓鏈路加載大功率信號(hào)30分鐘內(nèi),其標(biāo)校值偏差為0.12dB~0.15dB;在-40℃~110℃溫度范圍內(nèi),真空鏈路標(biāo)校值偏差為0.13dB。這兩部分偏差會(huì)導(dǎo)致微波器件的功率加載不充分。文章得出的結(jié)論將為真空溫變環(huán)境下的大功率試驗(yàn)提供重要參考。
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