磁控濺射制備MoS2/C復(fù)合薄膜及其結(jié)構(gòu)表征
關(guān)鍵詞：磁控濺射 二硫化鉬 復(fù)合薄膜
摘要：采用單靶與雙靶磁控共濺射技術(shù),在非晶態(tài)石英玻璃基底上分別沉積生長(zhǎng)了MoS 2薄膜及MoS 2/C復(fù)合薄膜.利用X射線(xiàn)衍射、拉曼光譜檢測(cè)技術(shù)對(duì)MoS 2薄膜和MoS 2/C復(fù)合薄膜材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,探討了退火處理前后薄膜結(jié)構(gòu)的變化.結(jié)果表明,通過(guò)脈沖和射頻雙靶共濺射制備的MoS 2/C復(fù)合薄膜,碳原子對(duì)二硫化鉬的空隙進(jìn)行了填充,經(jīng)過(guò)400℃真空退火20分鐘,獲得了結(jié)晶度較好的MoS 2/C復(fù)合薄膜材料.
洛陽(yáng)師范學(xué)院學(xué)報(bào)雜志要求:
{1}正文。論文應(yīng)論點(diǎn)明確、邏輯嚴(yán)密、數(shù)據(jù)可靠、內(nèi)容翔實(shí)，提供詳細(xì)的分析數(shù)據(jù)與圖表。
{2}文章若確有需要調(diào)整的內(nèi)容，請(qǐng)至少在出刊日前三個(gè)月向編輯部提出書(shū)面申請(qǐng)，經(jīng)編輯部同意確認(rèn)后方能進(jìn)行調(diào)整。
{3}參考文獻(xiàn)首先按文種集中，可分為英文、中文、西文等。然后按著者人名首字母排序，中文文獻(xiàn)可按著者漢語(yǔ)拼音順序排列。
{4}附論文內(nèi)容關(guān)鍵詞3—8個(gè)及150字左右的內(nèi)容摘要。
{5}受基金資助產(chǎn)出的文稿應(yīng)以基金項(xiàng)目作為標(biāo)志，注明基金項(xiàng)目名稱(chēng)、編號(hào)，放在篇首頁(yè)左下腳作者單位之前。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢(xún)雜志社
