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          Zr摻雜對(duì)CeO2(111)表面空位形成及電子結(jié)構(gòu)的影響

          賈慧靈; 鄒春陽; 吳錦繡; 李梅 內(nèi)蒙古科技大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院; 內(nèi)蒙古包頭014010; 內(nèi)蒙古科技大學(xué)材料與冶金學(xué)院; 內(nèi)蒙古包頭014010

          關(guān)鍵詞:zr摻雜 氧空位 電子結(jié)構(gòu) 態(tài)密度 

          摘要:利用VASP軟件,采用第一性原理的DFT+U方法計(jì)算了Zr摻雜前后CeO 2(111)表面結(jié)構(gòu)、氧空位形成能以及電子結(jié)構(gòu)的變化.研究表明:Zr摻雜中心附近,表層Ce,O原子發(fā)生較大弛豫,Zr的摻雜明顯降低了CeO 2(111)表面的氧空位形成能,表明對(duì)其態(tài)密度無明顯的影響.Zr摻雜前后的還原體系態(tài)密度圖均在靠近費(fèi)密能級(jí)左側(cè)出現(xiàn)1個(gè)間隙態(tài),表明有Ce^4+被還原為Ce^3+.

          內(nèi)蒙古科技大學(xué)學(xué)報(bào)雜志要求:

          {1}基金項(xiàng)目的成果或論文,請(qǐng)?jiān)谑醉撟⒚骰痦?xiàng)目類別、課題項(xiàng)目名稱及編號(hào)。

          {2}凡來稿應(yīng)主題突出、論點(diǎn)明確、論據(jù)可靠、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、語言精練、邏輯嚴(yán)密、圖表清晰。

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