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關鍵詞：嵌入式閃存 高壓 ate 自校準 高效 

摘要：嵌入式閃存(Embedded Flash,EFlash)內(nèi)部高壓的準確性對其讀取、編程和擦除的有效性至關重要.為了EFlash IP的高壓誤差盡可能小,電路預留了可調(diào)接口用于調(diào)整內(nèi)部高壓的數(shù)值.通過提出自動檢測的算法和設計集自動化檢測和校準一體的自測電路,達到快速校準高壓的目的.實驗以一個2 M存儲容量的EFlash為對象,實現(xiàn)校準時間從3 s到30 ms的減少.

微電子學與計算機雜志要求:

{1}作者是指科研內(nèi)容的構思，具體研究工作的執(zhí)行及撰稿執(zhí)筆等方面的主要貢獻人員，能夠對論文的主要內(nèi)容負責答辯的人員，是論文的法定主權人和責任者。作者署名不宜過多，一般不超過8名。

{2}所投稿件要求觀點明確，論據(jù)可靠，層次分明，論述精練，語言準確，符合規(guī)范。

{3}文題:力求簡明，能夠準確反映文章主題。中文文題一般不超過20個漢字，盡量不設副標題、不用標點符號、不使用縮略語，中英文題名含義應一致。

{4}參考文獻，用于說明文中引文的出處，一律放在文末。

{5}選用３~８個詞或詞組反映論文的中心內(nèi)容，同時應翻譯為相應的英文關鍵詞。題名、作者姓名、作者單位、摘要、關鍵詞的英譯置于文末。

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