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          入射光照對典型光刻膠納米結構的光學散射測量影響分析

          董正瓊; 趙杭; 朱金龍; 石雅婷 湖北工業(yè)大學; 湖北省質量工程重點實驗室; 武漢430068; 華中科技大學; 數字制造裝備與技術國家重點實驗室; 武漢430074

          關鍵詞:光學散射測量 光刻膠納米結構 聚甲基丙烯酸甲酯 光學常數 

          摘要:作為一種快速、低成本和非接觸的測量手段,光學散射測量在半導體制造業(yè)中的納米結構三維形貌表征方面獲得了廣泛關注與運用.光學散射測量是一種基于模型的測量方法,在納米結構待測參數的逆向提取過程中,為降低參數之間的耦合性,通常需要將結構的光學常數作為固定的已知量,即假設結構的材料光學常數不受光學散射儀入射光照的影響.事實上,這一假設對于半導體制造業(yè)中的絕大多數材料是成立的,但某些感光材料的光學常數有可能隨著入射光的照射時間增加而發(fā)生改變,而由此產生的誤差會在一定程度上傳遞給待測形貌參數的逆向提取值.本文針對聚甲基丙烯酸甲酯光刻膠薄膜培片和光柵結構分別開展了光學散射測量實驗與仿真研究,結果表明該光刻膠材料的光學常數隨著入射光照時間增加而變化,進而導致光柵結構形貌參數的提取結果較大地偏離于真實值,不容被忽視.這一研究發(fā)現將為更進一步提高光刻膠納米結構三維形貌參數的測量精確度提供理論依據.

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