損傷恢復(fù)機制對3D NAND閃存保持特性的影響
關(guān)鍵詞：3d nand閃存 保持特性 耐久性 損傷恢復(fù)
摘要：在3D NAND閃存的分布式編程擦除循環(huán)實驗中發(fā)現(xiàn),存儲單元的保持特性隨著編程擦除循環(huán)周期間隔的增加而改善。對實驗數(shù)據(jù)的分析表明,編程擦除循環(huán)周期間隔中發(fā)生了損傷恢復(fù),且在損傷恢復(fù)的兩個機制中,氧化層電荷逸出對保持特性的改善起主要作用,而非界面陷阱修復(fù)。這說明,氧化層電荷逸出對于3D NAND閃存的保持特性有著重要影響。此外還發(fā)現(xiàn),由于連續(xù)的電荷存儲層所導(dǎo)致的電荷橫向散布,損傷恢復(fù)對3D NAND閃存保持特性的影響與存儲單元的編程模式有關(guān)。綜上,損傷恢復(fù)機制是影響3D NAND閃存保持特性的一個重要因素,需要在產(chǎn)品的可靠性表征中予以考慮。
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