稀土摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)展
關(guān)鍵詞：gan基稀磁半導(dǎo)體 稀土摻雜 自旋電子器件 鐵磁性 磁性機(jī)理
摘要：GaN基稀磁半導(dǎo)體材料具有高于室溫的鐵磁性和優(yōu)異的光電性能,在半導(dǎo)體電子自旋器件領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)地介紹了制備方法對稀土Gd摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料鐵磁性的影響,討論了Gd摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料中鐵磁性的起源,介紹了除Gd以外的稀土離子摻雜GaN基稀磁半導(dǎo)體材料中的鐵磁性,以及共摻雜對GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性能的影響。目前,GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性仍無法滿足半導(dǎo)體電子自旋器件的要求。共摻雜工藝可以有效地解決稀土離子摻雜引入的較大晶格應(yīng)變,促進(jìn)自旋電子之間的交互作用,是一種改善GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的鐵磁性能的有效途徑。
微納電子技術(shù)雜志要求:
{1}符號應(yīng)采用國際標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)和公認(rèn)的符號，一種符號只能代表一種量。全文所用的符號必須前后一致，圖文統(tǒng)一。
{2}作者投稿必須保證原創(chuàng)，不得一稿多投，投稿者文責(zé)自負(fù)。
{3}題名須簡明確切地反映本文的特定內(nèi)容，不要副標(biāo)題，一般不超過20 字。避免使用非公知公認(rèn)的縮略詞、字符、代號等。
{4}作者單位署名在題名頁左下方腳注，具體到科室，標(biāo)明地點(diǎn)和郵政編碼。
{5}注釋：用于對文章正文作補(bǔ)充論說的文字， 采用文末注的形式， 注號用“ ① 、② 、③……”。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
