高密度電法反演分辨率數(shù)值模擬與分析
關(guān)鍵詞：高密度電法 分辨率 約束深度 電極距
摘要：高密度電法在反演過程中,電極距相比電性異常體橫向長度過大時(shí),電性異常體在反演中無法得到約束;某電極距下,當(dāng)電性異常體埋藏深度增加大到一定深度時(shí),在反演中電性異常體也無法得到約束。針對(duì)以上兩個(gè)問題,利用res2dmod正演軟件建立模型,再利用res2dinv反演軟件對(duì)模型進(jìn)行反演,通過對(duì)比分析結(jié)果表明:溫納、偶極和微分三種裝置分兩種情況:如果電極距小于20m模擬條件下,對(duì)于埋藏深度為5m且剖面面積不同的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),橫向反演分辨率,溫納裝置大于微分和偶極裝置;電極距小于12.75m時(shí),微分裝置大于偶極裝置,電極距大于12.75m時(shí),偶極裝置大于微分裝置。如果電極距在2m~8m范圍內(nèi),對(duì)于剖面面積為4×4(m2)的電性異常高阻體(異常體電阻率=100Ω·m,圍巖電阻率=10Ω·m),其最大約束深度隨電極距的增大而先增大后減小;相同電極距下,偶極裝置的最大約束深度>微分裝置的最大約束深度>溫納裝置的最大約束深度。
物探化探計(jì)算技術(shù)雜志要求:
{1}若需列出項(xiàng)目資助相關(guān)內(nèi)容，均置于首頁底部，并于論文題目后標(biāo)出星號(hào)。
{2}來稿不退,請(qǐng)自留底稿。如三個(gè)月未見通知,作者可另行處置。
{3}論文中插人圖表時(shí)，說明性文字要先出現(xiàn)，圖表附在說明性文字之后。圖的題目在圖之下，表的題目在表格之上。
{4}注釋：一律采用腳注，每頁編號(hào)，自為起止。
{5}文內(nèi)體例要求，一般以“一、”、“（一）”、“1．”、“(1)”作為文章層次，通過簡短的小標(biāo)題方式提煉主要觀點(diǎn)。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
