高頻光電導(dǎo)衰減法測(cè)試硅單晶少子壽命的精密度分析
關(guān)鍵詞：太陽能級(jí)多晶硅 少子壽命 準(zhǔn)確性 重復(fù)性 再現(xiàn)性
摘要：為驗(yàn)證少子壽命是否可做為太陽能級(jí)多晶硅級(jí)別判定的技術(shù)指標(biāo)，將原生多晶硅區(qū)熔為硅單晶后，15家光伏實(shí)驗(yàn)室采用高頻光電導(dǎo)法測(cè)試少子壽命。分別對(duì)硅單晶的表面和端面進(jìn)行測(cè)試，分析兩者重復(fù)性的差異，確定少子壽命取值已表面測(cè)試為準(zhǔn)。采用Z比分?jǐn)?shù)法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行重復(fù)性檢驗(yàn)、“值檢驗(yàn)法進(jìn)行準(zhǔn)確性分析、疋。檢驗(yàn)法進(jìn)行再現(xiàn)性分析，最終得出少子壽命可作為多晶判級(jí)依據(jù)的結(jié)論。
現(xiàn)代測(cè)量與實(shí)驗(yàn)室管理雜志要求:
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