面向?qū)拵畔⑾到y(tǒng)的集成微波光子技術(shù)研究進(jìn)展及趨勢(shì)
關(guān)鍵詞：微波光子 集成器件 單片集成 異質(zhì)集成
摘要：集成微波光子技術(shù)具有寬帶性、高速性、小巧性和抗干擾性等一系列優(yōu)勢(shì),是未來(lái)寬帶信息系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)路徑之一。其中,硅基單片集成和硅基異質(zhì)集成是集成微波光子技術(shù)的兩個(gè)重要研究?jī)?nèi)容。本文通過(guò)分析基于硅(Si)、鋸酸鋰(LiNbO3)和II+V化合物等材料體系的光子單片集成和異質(zhì)集成器件的研究現(xiàn)狀,探討了集成微波光子系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)。本文認(rèn)為:面向?qū)拵畔⑾到y(tǒng),以硅材料為基底,多種材料體系進(jìn)行異質(zhì)集成,能夠兼容COMS工藝的同時(shí),還能充分發(fā)揮各種材料性能優(yōu)勢(shì),因此將會(huì)成為未來(lái)集成微波光子學(xué)的重要發(fā)展趨勢(shì)。
真空電子技術(shù)雜志要求:
{1}作者簡(jiǎn)介:姓名、性別、出生年份、籍貫、工作單位、職稱、學(xué)歷、研究方向，通訊地址、郵政編碼、聯(lián)系電話、電子信箱，相關(guān)信息務(wù)必準(zhǔn)確。
{2}致謝置于正文后、參考文獻(xiàn)前。用于對(duì)參與部分工作、提供技術(shù)性幫助、提供工作方便、給予指導(dǎo)但尚達(dá)不到作者資格者，以及提供資助的團(tuán)體或個(gè)人。文字力求簡(jiǎn)練，評(píng)價(jià)得當(dāng)，并應(yīng)征得被致謝人同意。
{3}標(biāo)題一般不超過(guò)15個(gè)字，可加副標(biāo)題。
{4}參考文獻(xiàn)按引用的先后順序列于文末。所列參考文獻(xiàn)在20條左右，以國(guó)內(nèi)外近5年發(fā)表的雜志參考文獻(xiàn)為主。
{5}關(guān)鍵詞應(yīng)為3-5個(gè)，最好體現(xiàn)出文章的主旨和特色，目的是方便讀者根據(jù)關(guān)鍵詞在眾多文獻(xiàn)中關(guān)注到您的研究。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
